[뉴스토마토 김세연기자] 우리투자증권은 7일
국제엘렉트릭(053740)에 대해 DRAM 공정 미세화 투자와 VNAND 투자 개시의 이중 모멘텀을 보유하고 있다고 분석했다.
올해 하반기 이후
삼성전자(005930)가 DRAM 공정미세화 투자와 시안 NAND Fab (VNAND 라인)증설을 본격화 할 경우 수혜가 기대되기 때문이다. 다만 투자의견과 목표주가는 제시하지 않았다.
이미 삼성전자는 올해 총 13조원의 자금을 반도체 CAPEX로 집행할 계획이라고 밝혔다. 이 중 약 5조원이 System LSI에, 7.5조원이 메모리반도체에, 0.5조원이 기타 유지보수에 투자될 것으로 예상되고 있다.
유철환 우리투자증권 연구원은 "DRAM 공정미세화 투자에 이미 장비가 공급되고 있는 것으로 추정되는 가운데, Xian Fab 투자가 본격화 될 경우 동사 장비의 채용이 확대될 것"이라며 "Austin System LSI라인 증설에 따른 장비 매출이 가능할 전망이어서 추가적인 외형확대 기반을 마련해줄 것"이라고 밝혔다.
그는 "국내 반도체장비업체들의 경우 Xian Fab(VNAND라인) 증설 시 장비 수주가 가능한지 여부가 매우 중요하다"며 "상대적으로 공정속도가 빠른 동사의 Batch타입 장비 매출 확대의 기반을 마련해 줄 것"이라고 분석했다.
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