삼성전자와 하이닉스반도체가 50나노 D램 시대를 열었다.
50나노미터(나노는 10억분의 1m)급 공정은 종전의 60~70나노급 공정보다 D램 반도체의 생산성을 획기적으로 높이는 동시에, 반도체의 집적도도 향상시켜 보다 많은 정보를 저장할 수 있도록 하는 앞선 기술이다.
이에 따라 국내 반도체 업체들의 세계 D램 반도체 시장 주도력도 한층 견고해 지게 됐다.
21일 관련업계에 따르면, 삼성전자와 하이닉스가 50나노미터급 초미세 공정을 적용한 D램 생산에 나섰다.
삼성전자는 이번달(4월)부터 56나노 공정을 적용한 D램 양산을 시작했으며, 하이닉스는 내달부터 54나노 공정을 적용한 D램 양산에 들어간다.
삼성전자는 지난 2004년 9월 90나노급 D램 양산을 시작으로, 2006년 3월에 80나노급, 2007년 3월에 60나노급 공정을 적용한 D램 양산에 돌입하면서 그간 세계 반도체 D램 시장을 주도해 왔었다.
하이닉스도 지난 2004년 3분기에 90나노 D램 양산 체제를 갖췄으며, 이후 85나노. 66나노(2007년 2분기)에 이어 이번에 54나노 D램 양산 체제에 나서게 됐다.
국내 반도체 업체들이 본격적인 50나노급 D램 양산에 나섬에 따라 세계 반도체 시장에서의 경쟁력 강화가 예상된다.
현재 미국의 마이크론, 일본의 엘피다, 대만 업체 등 해외 경쟁 D램 반도체 업체들은 60~70나노급 공정을 적용한 수준인 것으로 알려졌다.
반도체의 경우, 회로 선폭이 얼마큼 가느냐에 따라서 반도체의 생산성과 반도체의 직접도 수준이 달라지는데, 통상 60나노급 공정에 비해 50나노급 공정은 생산성 등의 측면에서 2배 가량 높은 것으로 알려져 있다. 때문에 얼마만큼 회로 선폭을 줄이느냐가 반도체 업계에선 기술력으로 평가받고 있다.
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