[뉴스토마토 백아란 기자] 삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4 정식 납품을 예고하며 시장 주도권 탈환에 나섰습니다. 메모리 반도체 기업 중 가장 먼저 HBM4 공급을 본격화하면서 초도 물량을 선점, 엔비디아 등 고객사 공급망 내 비중을 확대하고 시장 선두를 확보하려는 전략으로 풀이됩니다.
지난해 코엑스에서 열린 반도체 대전에서 공개된 삼성전자 HBM4 모습. (사진=뉴스토마토)
26일 로이터통신 등 외신과 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 내달부터 엔비디아·AMD를 대상으로 HBM4 정식 납품을 시작할 예정입니다. 정식 납품은 단순히 제품을 만드는 단계를 넘어 고객사 주문을 전제로 양산과 출하 단계로 진입했음을 의미합니다.
양산 시점이 앞설수록 엔비디아 등 고객사 공급망의 비중을 늘릴 수 있다는 점에서 삼성전자의 행보는 시장 우위 선점에 유리하게 작용할 것으로 보입니다. 반도체 시장을 놓고 SK하이닉스, 마이크론과 각축전을 벌이고 있는 상황에서 차세대 제품을 가장 먼저 시장에 내놓음으로써 표준 규격 제정과 생태계 주도권 확보에서 유리한 고지를 점할 수 있기 때문입니다.
앞서 삼성전자는 엔비디아에 HBM3E를 적시에 공급하지 못해 지난 2024년 1분기 D램 시장 점유율에서 SK하이닉스에 선두 자리를 내주며 33년 만에 왕좌에서 내려왔습니다. 지난 2024년 당시 메모리 사업에서 삼성전자 반도체를 담당하는 DS부문 영업이익은 15조1000억원으로 SK하이닉스(23조4673억원)에 밀리기도 했습니다.
시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 작년 3분기 글로벌 HBM 시장에서 삼성전자의 시장점유율은 22%로 SK하이닉스의 점유율(57%)의 절반 정도 수준입니다. 반면 3위인 마이크론은 21%로 뒤를 바짝 좇고 있는 상태입니다.
이에 삼성전자는 작년 하반기부터 엔비디아 등 주요 고객사에 대한 HBM 공급 확대를 추진하며 실적 반등에 나선 상황입니다. 특히 HBM4에서는 단순 추격이 아닌 성능 우위 전략을 전면에 내세우며 시장을 공략하고 있습니다. HBM의 핵심 구성 요소인 D램을 경쟁사보다 한 세대 앞선 10나노미터 6세대(1c) 공정으로 설계하고, HBM의 두뇌 역할을 하는 베이스 다이에는 4나노미터 파운드리(위탁생산) 공정을 적용한 것도 그 일환으로 분석됩니다.
삼성전자 평택캠퍼스. (사진=삼성전자)
현재 삼성전자가 엔비디아에 공급할 칩의 구체적인 물량 등 세부 사항은 공개되지 않았지만, 이번에 공급되는 HBM4는 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 루빈(Rubin)과 AMD의 MI450 등에 적용될 가능성이 높습니다. AI모델이 커질 수록 연산 능력이 중요해지는데 HBM4가 초고속 메모리 대역폭을 지원함으로써 AI 처리 효율성을 높이는 역할을 할 수 있기 때문입니다.
김동원 KB증권 리서치본부장은 “삼성전자의 HBM4는 1c D램 공정과 4nm 파운드리를 활용한 베이스 다이의 자체 제작을 통해 업계 최고 수준의 성능 구현이 가능할 것으로 전망된다”며 “올해 HBM 출하량은 전년대비 3배 증가한 112억Gb, HBM 점유율은 올해 35%로 대폭 확대될 것”이라고 내다봤습니다. 이어 “HBM은 2027~2028년 HBM4E, HBM5로의 진화를 통해 고객사의 속도와 전력 사양 요구 수준이 한층 더 고도화될 전망”이라고 했습니다.
한편 시장에서는 오는 29일 예정된 삼성전자와 SK하이닉스의 실적 발표에 이목이 집중되는 분위기입니다. SK하이닉스 또한 지난해 9월 HBM4 양산 체제를 구축하고 2월 중 청주 M15X 팹에서 본격적인 상업 생산을 시작할 예정이라는 점에서 이번 컨콜에서 양사의 HBM4의 대량 양산 시점, 매출 목표 등이 공개될 수 있기 때문입니다.
업계 관계자는 “SK하이닉스도 HBM4 최적화 작업을 진행 중인 것으로 알고 있다”며 “이번주에 있을 컨퍼런스콜에서 HBM4 개발이나 양산 진척 상황에 대한 윤곽이 나오지 않을까 한다”고 전망했습니다.
백아란 기자 alive0203@etomato.com
이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.
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